宁波芯健半导体有限公司
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铜凸块制程即wafer从晶圆加工完成基体电路后,利用涂胶、黄光、电镀及蚀刻制程等制作技术通过在芯片表面制作铜锡凸点,提供了芯片之间、芯片和基板之间的“点连接”,由于避免了传统Wire Bonding 向四周辐射的金属“线连接”,减小了芯片面积(封装效率100%),此外凸块阵列在芯片表面,引脚密度可以做得很高,便于满足芯片性能提升的需求,并具有较佳抗电迁移和导热能力以及高密度、低阻抗,低寄生电容、低电感,低能耗,低信噪比、低成本等优点。
Cu-Pillar Structure | PI Thickness | Standard Cu-Pillar | Micro Cu-Pillar |
1M (Dirctl Cu-Pillar) | NA | Pitch:150um Bump Size:80-100um Bunp Height: 65um Cu+35um Sn | Min.Pitch:90um Min.Bump Size:45um Bum Hemp: 25um Cu+20um Sn |
1P1M (PI+Cu-Pillar) | 5um | ||
1P2M (PI+RDL+Cu-Pillar) | 5um | ||
2P2M 1st PI+RDL+2ndPI+Cu-Pillar | 1st PI5um 2ndPI 10um |
Application:
PMU.Smart.Card.RF.PA.MEMS&Sensor.ucontrollers.EEPROM/Dram/Flash/SRAM