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CuPillar封装技术

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    铜凸块制程即wafer从晶圆加工完成基体电路后,利用涂胶、黄光、电镀及蚀刻制程等制作技术通过在芯片表面制作铜锡凸点,提供了芯片之间、芯片和基板之间的“点连接”,由于避免了传统Wire Bonding 向四周辐射的金属“线连接”,减小了芯片面积(封装效率100%),此外凸块阵列在芯片表面,引脚密度可以做得很高,便于满足芯片性能提升的需求,并具有较佳抗电迁移和导热能力以及高密度、低阻抗,低寄生电容、低电感,低能耗,低信噪比、低成本等优点。



Cu-Pillar StructurePI ThicknessStandard Cu-PillarMicro Cu-Pillar

1M

(Dirctl Cu-Pillar)

NA

Pitch:150um

Bump Size:80-100um

Bunp Height:

65um Cu+35um Sn

Min.Pitch:90um

Min.Bump Size:45um

Bum Hemp:

25um Cu+20um Sn

1P1M

(PI+Cu-Pillar)

5um

1P2M

(PI+RDL+Cu-Pillar)

5um

2P2M

1st PI+RDL+2ndPI+Cu-Pillar

1st PI5um

2ndPI 10um 



1458266642377033.jpg

Application:

PMU.Smart.Card.RF.PA.MEMS&Sensor.ucontrollers.EEPROM/Dram/Flash/SRAM


1458269032803537.jpg